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當前位置:首頁產品中心儀器儀表日本CKD喜開理KBX-T5日本CKD半導體電動執行器滑塊型KBX

日本CKD半導體電動執行器滑塊型KBX
產品簡介

日本CKD半導體電動執行器滑塊型KBX
一、核心技術特性
超高速與高加速性能
采用交流伺服電機驅動,最快速度達 2500mm/s,加減速度 2G(為 CKD 傳統機型的 2 倍),可大幅縮短半導體晶圓在多工位間的傳輸時間(如曝光、蝕刻設備中的晶圓切換)。這一特性對提升產線整體效率至關重要,尤其適用于高產能需求的量產場景。

產品型號:KBX-T5
更新時間:2025-09-17
廠商性質:經銷商
訪問量:11
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日本CKD半導體電動執行器滑塊型KBX

日本CKD半導體電動執行器滑塊型KBX

日本 CKD 半導體電動執行器滑塊型 KBX 系列是面向半導體先進制程中 “高精度定位 + 超潔凈環境適配" 核心需求開發的直線運動組件,尤其聚焦 300mm 晶圓處理、光刻對位等對 “微米級精度、低污染、高穩定性" 要求精致的場景。以下從技術特性、行業應用、選型邏輯及核心優勢展開詳細說明:

一、核心技術特性

微米級定位精度與穩定性

采用預緊滾珠絲杠 + 精密研磨線性導軌的核心傳動組合,重復定位精度達 ±1μm,定位分辨率可至 0.1μm(搭配高精度編碼器),遠優于普通工業級執行器(通常 ±5μm 以上)。機身采用一體化鋁合金床身結構,經時效處理與精密銑削加工,導軌安裝面平面度控制在 0.01mm/m 以內,能有效抵消高速啟停時的力矩變形,確保晶圓搬運或工藝對位時的位置偏差小于 2μm(符合 SEMI F47 標準對運動精度的要求)。

超潔凈環境適配設計

針對半導體潔凈室(ISO 14644-1 Class 1~Class 3)需求,KBX 系列采用全密封結構:導軌與絲杠均配備雙層唇形密封圈 + 伸縮式防塵罩,可隔絕外部顆粒侵入,同時內部填充低發塵、低釋氣潤滑脂(符合 SEMI G175 標準),實測運行時發塵量<1 particle/ft3(0.5μm 以上顆粒),無揮發性有機化合物(VOC)釋放,避免污染晶圓表面或影響光刻膠性能。部分型號還可定制靜電消散(ESD)涂層,表面電阻控制在 10?~10?Ω,防止靜電擊穿晶圓電路。

均衡的速度與負載性能

驅動系統搭載 CKD 專用小型化交流伺服電機,最大速度可達 1500mm/s,加減速度 1G,雖不及 EKS-M 系列的高速特性,但更側重 “精度與速度的平衡"—— 例如在 300mm 晶圓搬運中,既能滿足每分鐘 30 片的傳輸效率,又能通過平穩加減速避免晶圓邊緣磕傷。負載覆蓋范圍廣,提供 40mm、60mm、80mm 三種機身寬度,最大水平負載達 90kg,支持最長 1200mm 行程,適配從晶圓載具(FOUP)開合到檢測平臺移動的多樣需求。

高集成性與智能控制兼容

執行器與驅動器采用一體化設計,體積較傳統 “電機 + 減速器 + 執行器" 組合縮小 25%,便于嵌入半導體設備的狹小空間(如光刻設備的晶圓臺模組)。驅動器原生支持EtherCAT、Profinet、CC-Link IE TSN等主流工業以太網協議,可直接接入 SEMI 標準的半導體自動化控制系統(如 KLA 的檢測系統)。搭配 CKD 智能調試軟件Motion Editor,可實現運動軌跡的 “點對點" 優化(如 S 型加減速曲線自定義),并實時監測電機電流、溫度及定位誤差,提前預警絲杠磨損、導軌異響等潛在故障。

二、半導體行業典型應用

300mm 晶圓精密搬運系統

在晶圓廠的 “曝光 - 蝕刻" 聯機設備中,KBX 系列負責將 FOUP 內的晶圓精準移送至工藝腔室:±1μm 的重復定位精度確保晶圓與腔室卡槽的無縫對接(避免晶圓邊緣劃傷),全密封結構與低發塵設計滿足工藝腔室入口處的 Class 1 潔凈要求。其 90kg 的負載能力可輕松驅動晶圓承載臺(含晶圓與吸附裝置總重約 50kg),1500mm/s 的速度能將工位切換時間壓縮至 2 秒以內,適配 300mm 晶圓量產線的高產能需求。

光刻設備晶圓臺定位

光刻是半導體制造中精度要求最高的環節(定位誤差需<50nm),KBX 系列作為光刻設備 “粗定位" 模組的核心部件,可先將晶圓臺移動至目標區域 ±1μm 范圍內,再由納米級精密平臺完成最終對位。其高剛性床身能抵消光刻鏡頭對焦時的微小振動,低釋氣特性避免潤滑脂揮發物附著在鏡頭表面(影響成像質量),是光刻設備的常用運動組件。

半導體封裝鍵合工藝

在芯片與基板的 “倒裝鍵合" 環節,KBX 驅動鍵合頭實現 “拾取 - 對準 - 壓合" 的一體化運動:通過與視覺識別系統聯動,鍵合頭可在 0.5 秒內完成芯片的精準抓取,隨后以 ±1μm 的定位精度將芯片引腳與基板焊盤對齊,最終通過壓力與溫度實現可靠鍵合。其平穩的運動特性能避免鍵合時的沖擊力過大導致芯片碎裂,有效提升封裝良率(可達 99.5% 以上)。

晶圓缺陷檢測與修復

在 KLA 或應用材料的晶圓檢測設備中,KBX 驅動檢測探頭(如光學顯微鏡、電子束探頭)進行高密度掃描:1500mm/s 的速度可實現整片 300mm 晶圓的掃描時間<3 分鐘,±1μm 的定位精度能精準標記缺陷位置;后續修復環節中,又可驅動激光修復頭移動至缺陷點,通過聚焦能量完成電路修復,實現 “檢測 - 修復" 的高效聯動。

三、選型與使用建議

型號細分與參數匹配

CKD 為 KBX 系列提供 3 類核心型號,需根據場景需求精準選型:

標準型(KBX-M):重復定位精度 ±1μm,適用于一般晶圓搬運、封裝環節的芯片放置。

高精度型(KBX-H):通過升級絲杠導程精度(0.005mm 導程誤差)與編碼器分辨率(23 位),重復定位精度提升至 ±0.5μm,推薦用于光刻粗定位、鍵合等高精度場景;

高潔凈型(KBX-C):在標準型基礎上強化密封結構(三層防塵罩)與低發塵潤滑,發塵量<0.5 particle/ft3,適配 Class 1 潔凈室的工藝腔室周邊設備。

環境適配與定制化

潔凈室場景:優先選擇 KBX-C 型,同時要求供應商提供 “潔凈度檢測報告"(符合 SEMI F21 標準);

濕法工藝區(如清洗、蝕刻設備):需定制抗腐蝕材質(機身采用 SUS316 不銹鋼,密封圈用氟橡膠),避免酸堿溶液腐蝕導致的精度下降;

靜電敏感場景:額外加裝 ESD 涂層,確保執行器與晶圓載具的靜電電位差<100V。

安裝與維護要點

安裝時需使用大理石平臺校準執行器的 “平行度" 與 “水平度"(平行度<0.02mm/m),避免因安裝偏差導致絲杠偏載磨損;維護方面,得益于長效潤滑設計,KBX 系列的潤滑周期長達 2000 小時(普通執行器僅 500 小時),保養時需注入 CKD 專用低發塵潤滑脂(型號:L-500),禁止混用其他品牌潤滑脂(可能產生化學反應導致發塵量激增)。此外,通過 Motion Editor 軟件每運行 1000 小時進行一次 “定位精度校準",可維持長期使用中的精度穩定性。

四、與競品的差異化優勢

相較于 SMC 的 LE-H2 系列、THK 的 KR 系列等同類產品,KBX 系列的核心競爭力體現在三點:

潔凈與精度的雙重:多數競品的 “高潔凈型" 僅能滿足 Class 3 潔凈度,且精度多為 ±2μm,而 KBX-C 型可同時實現 Class 1 潔凈度與 ±1μm 精度,適配更先進的 3nm/5nm 制程設備;

半導體場景深度適配:CKD 針對半導體行業開發了專屬功能,如 “晶圓搬運模式"(預設平穩加減速曲線)、“ESD 靜電監測接口",而競品多為通用工業級設計,需二次開發才能適配;

全生命周期服務:CKD 在中國大陸的半導體技術中心(上海、蘇州)可提供 “安裝校準 - 精度檢測 - 故障維修" 的全流程服務,其中故障響應時間≤24 小時,備件交付≤72 小時,遠快于部分進口品牌的 1 周以上周期。

五、注意事項

采購渠道驗證:KBX 系列為 CKD 半導體專用產品線,需通過其授權代理商采購(如喜開理(上海)機器有限公司),避免非正規渠道的翻新件(可能存在精度衰減、密封失效問題);

產品迭代提示:目前主流供應的為 2022 年升級后的 KBX-Ⅱ 系列(較初代提升了 20% 剛性),選型時需確認型號后綴(Ⅱ 代表升級款),避免采購已停產的初代型號;

負載限制:嚴禁超過額定負載的 120% 運行(即使短期過載也可能導致絲杠變形),建議在選型時預留 20% 的負載余量(如實際負載 50kg,選擇額定負載 60kg 以上的型號)。

綜上,KBX 系列以 **“高精度、超潔凈、高穩定"** 為核心標簽,是半導體先進制程中 “精密搬運、工藝對位、檢測修復" 等場景的優選組件。通過精準選型、定制化適配與規范維護,可充分發揮其在精度與潔凈度上的優勢,為半導體設備的高良率、高可靠性提供核心運動支撐。

KBX-T5

KBX-T7

KBX-10

KBX-30

KBX-50

KBX-60


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